5月14日から15日に関西大学で開催されたInternational Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK2009) 国際会議で、Si LSIを凌駕する将来のデバイスであるグラフェン・ナノリボンデバイス (GNR device) の特性の解析についての研究発表を行った。発表では、GNRデバイスの特性がSiデバイスの特性を凌駕しうること、リボンの端の凹凸が電子状態やデバイスの電気的な特性に大きな影響を及ぼすことを量子力学的な輸送解析により明確にした。この成果により、50余編の発表論文のうちの最優秀論文に選出され、Best Paper Awardが授与された。